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本发明涉及一种应用于工业量产的半导体薄膜沉积原位实时监测系统，属于半导体制造技术领域。包括：真空腔体，其侧面壳体上设置有三个监测孔以及蒸发源；样品台，设置于真空腔体内，其侧表面上通过卡扣放置有生长基片，其垂直于上下底面的中心轴上设置有旋转轴；电动马达，设置于真空腔体外部，与旋转轴的一端相连，用于控制样品台的转速；原位高分辨形貌监测模块，拉曼监测模块和X射线监测模块分别正对真空腔体侧面壳体的三个监测孔，用于监测薄膜的表面形貌和结构、晶体状态和晶体结构，其中，蒸发源的喷口正对生长基片。本发明提供的系
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116770251 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202310763052.3
(22)申请日 2023.06.27
(71)申请人 江苏中芯沃达半导体科技有限公司
地
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