晶圆异质融合方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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晶圆异质融合方法.pdf

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本发明提供一种晶圆异质融合方法，涉及半导体材料与器件制备技术领域。该方法包括以下步骤：将两片晶圆装入载片腔，对载片腔进行抽真空；通过真空传输腔，将晶圆传送至表面光滑化腔，对晶圆依次进行表面离子束清洗和表面光滑化处理；通过真空传输腔，将晶圆传送至键合腔，对晶圆进行离子束表面活化，同步采用复合元素补偿表面键态，在两片晶圆的表面相对位置各自形成过渡层；将两片晶圆各自的过渡层对准，在预设条件下对两片晶圆进行键合；通过真空传输腔，将键合后的晶圆传送至载片腔。本发明将表面离子束清洗、表面光滑化、无氧真空环境

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779428 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202210228762.1 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 1