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本发明提供一种具备SJSBD的SJVDMOS及制备方法，该SJVDMOS包括：SJSBD；所述SJSBD的阳极与SJVDMOS的源极连接；所述SJSBD的阴极与所述SJVDMOS的漏极连接。本发明的SJVDMOS不仅具有常规超结功率器件的高耐压和低导通电阻的特性，还能够通过与SJSBD的整合，使得本发明的SJVDMOS的开关速度远远大于常规SJVDMOS，并且由于关闭时的浪涌电流不经过本发明的SJVDMOS的体二极管，还能够增加本发明的SJVDMOS的可靠度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779685 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311035966.4
(22)申请日 2023.08.17
(71)申请人 深圳天狼芯半导体有限公司
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