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本发明公开一种新型集成栅极电阻的IGBT结构,涉及IGBT结构技术领域,包括栅极金属、栅极电阻和元胞区,元胞区内具有多晶硅栅,栅极电阻位于栅极金属与多晶硅栅之间,栅极金属与栅极电阻之间、栅极电阻与元胞区之间均设置有电介质层,电介质层中设置有用于连接栅极金属和栅极电阻的第一接触孔,以及用于连接栅极电阻和多晶硅栅的第二接触孔;本发明中两层金属结构间隔设置在元胞区的上方,栅极电阻与元胞区不在一个平面上,可以有效降低芯片面积;本发明中栅极金属、栅极电阻和元胞区自上而下依次垂直设置,电流纵向传递,使得电流
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779663 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311055227.1
(22)申请日 2023.08.22
(71)申请人 合肥阿基米德电子科技有限公司
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