原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种MicroLED像素单元形成方法，包括：提供待像素化的半导体发光结构，半导体发光结构包括依次堆叠于生长衬底表面的第一半导体层、发光层及第二半导体层，且半导体发光结构表面被划分为像素区域和沟槽区域；在半导体发光结构的像素区域表面形成掩膜材料；对沟槽区域的半导体发光结构进行干法刻蚀，形成预设深度的沟槽；去除掩膜材料，将形成有沟槽的半导体发光结构键合至支撑基板表面；去除生长衬底；对去除了生长衬底的整面半导体发光结构进行处理，直至将沟槽区域剩余的半导体发光结构去除干净，完成对半导体发光结
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779733 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311068064.0
(22)申请日 2023.08.24
(71)申请人 晶能光电股份有限公司
地址 33
文档评论（0）