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本公开是关于半导体技术领域,涉及一种半导体结构的修复系统、修复方法、存储介质及电子设备,半导体结构包括主存储区和冗余存储区,本公开的修复系统包括测试电路、控制电路及修复电路,其中:测试电路用于对主存储区进行缺陷测试,以确定主存储区的失效单元及失效单元的位置信息;控制电路与测试组件连接,用于存储失效单元的位置信息,并根据位置信息生成修复信号;修复电路与控制组件连接,用于接收修复信号,并通过冗余存储区对失效单元进行修复操作。本公开的半导体结构的修复系统可降低修复成本,提高产品良率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116779010 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202210226732.7
(22)申请日 2022.03.09
(71)申请人 长鑫存储技术有限公司
地址 23
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