一种半导体晶圆的切割工艺.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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一种半导体晶圆的切割工艺.pdf

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本发明涉及半导体晶圆制造技术领域，具体公开了一种半导体晶圆的切割工艺，包括以下步骤：在半导体晶圆表面涂覆聚合物，使聚合物与晶圆表面紧密结合；使用激光器在晶圆表面照射激光光束，激光光束通过聚合物层的光吸收后，激光束的光功率被减弱，避免光束传导对晶圆产生的热点；本发明通过采用激光束切割方法，具有操作简便、切割精度高、过程稳定特点，以及制备半导体晶圆涂覆的聚合物溶液形成聚合物保护层，实现了激光束大功率被聚合物保护层吸收，以及半导体晶圆切割两侧填充聚合物溶液加速散热减少晶圆热点的功能，达到了减少切割过程

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116765609 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310516528.3 C08F 220/18 (2006.01) (22)申请日 2023.05