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本发明提供一种半导体存储单元、阵列、器件及其制备方法，该半导体存储单元包括，磁性材料叠层，包括从下至上依次叠置的第一磁性层、隧穿势垒层和第二磁性层；与第一磁性层连接的第一接触件；叠置在磁性材料叠层上的第三磁性层；与第三磁性层直接接触的第二接触件；第一磁性层、第二磁性层及第三磁性层的自旋方向共线；第三磁性层在垂直方向上具有非均匀的材料分布并至少在第三磁性层与磁性材料叠层的接触界面处具有连续的侧壁形貌。本发明通过在磁性材料叠层上设置第三磁性层，实现对磁性材料叠层保持始终有效的保护，对磁性材料叠层与接
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116782664 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202311044822.5
(22)申请日 2023.08.18
(71)申请人 苏州凌存科技有限公司
地址 21
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