DDRIO版图结构、集成电路版图及半导体器件.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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DDRIO版图结构、集成电路版图及半导体器件.pdf

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本申请提供了一种DDRIO版图结构，包括：内部信号区，位于DDRIO版图结构的上部边缘处，用于布设与芯片内部结构连接的信号线；低压器件区，位于内部信号区下方；高压器件区，位于低压器件区下方；静电放电器件区，位于高压器件区下方，用于放置静电放电器件；外部信号区，位于静电放电器件区的最上层，用于布设与芯片外部结构连接的信号线；稳压电容区，位于静电放电器件区的下方，用于放置高压电源的稳压电容；内部信号区、低压器件区、高压器件区、静电放电器件区和稳压电容区的宽度相等。本申请技术方案提供的DDRIO版图结

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116779608 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202311058009.3 (22)申请日 2023.08.22 (71)申请人牛芯半导体（深圳）有限公司地址