像素单元非均匀分布的厚硅像素探测器及制备方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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像素单元非均匀分布的厚硅像素探测器及制备方法.pdf

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本发明涉及一种像素单元非均匀分布的厚硅像素探测器及制备方法。按其包括厚硅像素探测器本体，所述厚硅探测器本体包括用于对高能X射线探测的像素面以及用于接收高能X射线入射的入射探测面，其中，像素面包括若干呈阵列分布的像素单元，沿X射线的吸收路径上，像素面内位于的同一列像素单元配置成具有相同的饱和计数率，以使得经入射探测面入射的高能X射线沉积在同一列内任一像素单元的光子数相一致。本发明能实现对X射线高效的探测，像素单元采用非均匀大小设计，实现每个像素单元饱和计数率的一致，降低了后续读出电路的数量与探测成

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115052116 A (43)申请公布日 2022.09.13 (21)申请号 202210667672.2 (22)申请日 2022.06.14 (71)申请人无锡华芯微探科技有限公司地址 2