阻抗分析仪测量功率MOSFET器件栅极分离电容C-V特性的误差分析及调控方法.pdfVIP

2022 年 6 月 电 工 技 术 学 报 Vol.37 No. 12 第 37 卷第 12 期 TRANSACTIONS OF CHINA ELECTROTECHNICAL SOCIETY Jun. 2022 DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.210661 阻抗分析仪测量功率MOSFET 器件栅极 分离电容C- V 特性的误差分析及调控方法 蔡雨萌 赵志斌 徐子珂 孙 鹏 李学宝 （新能源电力系统国家重点实验室（华北电力大学） 北京 102206 ） 摘要 功率MOSFET 器件栅极分离电容 C- V 特性（CGS- VG 、CGD- VG ）的准确测量对于器件的 建模及栅氧可靠性的评估十分重要。阻抗分析仪是测量 CGS- VG 、CGD- VG 的关键设备。在利用阻抗 分析仪测量三端器件的某个参数时，需对非测量的第三端进行屏蔽以消除其引入的并联阻抗误差。 而功率MOSFET 器件在栅压超过阈