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本发明提供能够适当地调整源极线层的电位的半导体存储装置。半导体存储装置(2)具备：取得电路，取得源极线层(320)的电位；以及第一调整电路，将源极线层(320)的电位调整为规定的目标电位。在取得电路中包括虚设柱(DP)，该虚设柱(DP)贯通多个布线层(332)，是端部与源极线层(320)连接的柱状体，且与布线层(332)交叉的部分作为晶体管发挥功能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116778999 A
(43)申请公布日 2023.09.19
(21)申请号 202210624580.6
(22)申请日 2022.06.02
(30)优先权数据
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