一种纳米孪晶银材料及其制备方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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一种纳米孪晶银材料及其制备方法.pdf

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本发明提供了一种纳米孪晶银材料及其制备方法，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，对基板进行清洗，干燥；步骤S2，靶材选用银靶，将基板和靶材放入磁控溅射设备中，抽真空后，对基板施加负偏压进行直流磁控溅射沉积，其中，基板偏压为‑50～‑200V，基板温度为25～50℃，氩气流量为30～50sccm，溅射室真空度为0.3～1.0Pa，沉积时间为15‑90min。采用本发明的技术方案，制备得到的纳米孪晶银材料中具有高密度的纳米孪晶，孪晶界占比90％，兼具高导电和高导热性能的条件下，提高了材料的硬度、抗电

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116770247 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310758841.8 B82Y 30/00 (2011.01) (22)申请日 2023.06.