半导体器件及其制作方法.pdfVIP

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2023-09-20 发布于四川
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半导体器件及其制作方法.pdf

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本发明提供一种半导体器件及其制作方法，包括：提供衬底，衬底上形成有MIM电容；在第一层间介质层中形成第一接触孔和第二接触孔；形成浮置金属电阻的同时，形成第一金属、第二金属分别将MIM电容的上极板和下极板引出。顶部接触孔贯穿第二层间介质层暴露出浮置金属层。顶部接触孔的高度一致，方便控制浮置金属层的刻蚀损失量。顶部接触孔包括第三接触孔、第四接触孔以及第五接触孔。浮置金属电阻通过第五接触孔直接引出；MIM电容的上极板依次通过第一接触孔、第一金属和第三接触孔引出；MIM电容的下极板依次通过第二接触孔、第

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116782758 A (43)申请公布日 2023.09.19 (21)申请号 202310944582.8 (22)申请日 2023.07.28 (71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司地