17功率半导体器件基础教学大纲.docx

功率半导体器件根底 》课程教学大纲 课程编号： 课程名称： 功率半导体器件根底 / Fundamentals of Power Semiconductor Devices 课程总学时 / 学分： 48/3.0 (其中理论 36 学时，试验 12 学时) 适用专业： 电子科学与技术专业 一、教学目的和任务 功率半导体器件根底是电子科学与技术本科专业必修的一门专业核心课程。 功率半导体器件根底表达功率半导体器件的原理、 构造、 特性和牢靠性技术， 在此根底 上分析当前电力电子技术中使用的各种类型功率半导体器件，包括二极管、晶闸管、 MOSFET 、 IGBT 和功率集成器件，并包含了制造工艺、测试