二维过渡金属材料设计及电子性质的第一性原理研究.docxVIP

摘 要 　　二维过渡金属纳米材料在各领域新型高性能电子器件中的应用引起广泛关注，本文基于第一性原理计算，以二维过渡金属材料的设计为主线，研究三种二维过渡金属材料的几何结构和电子性质，致力于发现并设计性能优异的二维过渡金属材料并为自旋电子器件的应用提供了理论支持和设计思路。 　　首先，通过第一性原理计算，构建并设计方形PbFCl型单层与双层KMX (M = Cu, Au; X = S, Se) 结构作为二维过渡金属材料候选者。计算结果发现结构呈现直接半导体特性，与间接带隙半导体相比电子更易跃迁并具备更高的载流子迁移率。通过对材料进行能带结构分析发现，单层结构的禁带宽度小于1.0 eV，双层结构