InGaAsGaAs应变量子阱不同结构和生长方式对荧光光谱影响的研究的中期报告.docxVIP

InGaAsGaAs应变量子阱不同结构和生长方式对荧光光谱影响的研究的中期报告 本研究旨在探究InGaAs/GaAs应变量子阱在不同结构和生长方式下的荧光光谱特性。在已有成果的基础上，我们继续进行了深入的实验研究。 首先，我们在相同生长条件下制备了两种不同结构的InGaAs/GaAs应变量子阱，分别为简单量子阱和双量子阱。在简单量子阱中，InGaAs和GaAs交替堆叠，而在双量子阱中，增加了一层GaAs层。通过荧光光谱的测试，我们发现双量子阱相比简单量子阱有更高的峰值强度和更窄的波长范围。这表明双量子阱具有更好的光学特性。 为了进一步提高量子阱的性能，我们尝试了两种不同的生长方式：传统的金属有机气相外延（MOVPE）和金属有机分子束外延（MOMBE）。在两种生长方式下制备了相同结构的InGaAs/GaAs应变量子阱，并进行了荧光光谱测试。结果表明，在MOMBE生长方式下制备的量子阱具有更高的荧光强度和更窄的波长范围。我们推测这是由于MOMBE生长方式可以更好地控制表面质量和晶格结构。 综合以上结果，我们认为双量子阱结构和MOMBE生长方式对于提高InGaAs/GaAs应变量子阱的荧光光谱特性具有重要意义。下一步，我们将进一步进行实验研究，探究更多优化量子阱结构和生长方式的可能性。