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上海市 2016 年度“科技创行动打算”高技术领域工程指南
为大力实施创驱动进展战略,加快建设具有全球影响力的科技创中心,依据国家和上海市科技进展规划,推动上海高技术领域科技进步,提升创力量, 实现经济社会可持续进展,上海市科学技术委员会特公布本指南。
一、征集范围
专题一、一代信息技术
方向 1、绝缘栅双极型晶体管〔IGBT〕技术争论与应用
争论目标:
推动 IGBT 产学研用联合,组织产业链面对光伏等能源发电应用的协同攻关, 实现国产 IGBT 在光伏领域的应用。
争论内容:
适用于光伏
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