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光子晶体垂直腔面发射激光器的研究的中期报告 光子晶体垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一种新型的半导体激光器，其具有尺寸小、功耗低、频率稳定等优点，在通信、光学存储和传感等领域有广泛应用。本项目旨在通过优化光子晶体结构和材料选择，提高VCSEL的性能。 在前期研究中，我们通过模拟分析和实验验证，确定了红外波段下的VCSEL设计参数，并成功制备了样品。在本期研究中，我们进行了以下工作： 1. 对光子晶体结构进行进一步优化。通过在VCSEL的有源层和上下反射镜之间引入亚波长厚度的柱状晶体结构，增加了光子晶体的相对折射率差，从而增强了光子晶体的能带结构。 2. 优化VCSEL的材料选择。我们选用了AlAs/GaAs和AlGaAs/GaAs的多层量子阱结构作为有源层的材料，同时选择了InGaAs/GaAs的阻挡层和AlGaAs/GaAs的上下反射镜，以提高VCSEL的性能。 3. 进行了光谱特性和模式分析实验。通过光学谱仪和扫描电子显微镜对样品进行了测试，观察到了显著的腔模峰和人工能带峰，证明了优化后的光子晶体结构和材料选择的有效性。 通过以上工作，我们对VCSEL的性能进行了显著提升，同时为下一步研究提供了有益的指导。