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新颖SiO2、ZnO微纳米有序结构的生长及机理研究的中期报告
此中期报告主要介绍了关于SiO2和ZnO微纳米有序结构的生长及机理研究进展情况。研究方法包括物理沉积、化学沉积、溶胶凝胶等。以下是具体内容:
一、SiO2微纳米有序结构生长及机理研究
SiO2微纳米结构的生长可分为两种类型,一种是球形结构即SiO2微球的生长,另一种是棒状结构即SiO2纳米线的生长。对于SiO2微球的生长,采用了一种简单易行的物理沉积方法,制备出了一种顶端为尖锐的SiO2微球,通过扫描电子显微镜观察证实,尖锐部分的直径仅为100 nm,表明其具有微纳米有序结构特征。SiO2纳米线的生长主要采用化学沉积法,并对比了不同添加剂对SiO2纳米线生长的影响。实验结果表明,添加剂可以明显影响SiO2纳米线的直径和长度,进一步确定了SiO2微纳米有序结构的生长机理。
二、ZnO微纳米有序结构生长及机理研究
ZnO微纳米结构的生长同样可分为两种类型,一种是球形结构即ZnO微球的生长,另一种是棒状结构即ZnO纳米线的生长。对于ZnO微球的生长,采用了溶胶凝胶法,制备出了具有纳米级别有序结构的ZnO微球。通过X射线衍射发现ZnO微球具有高度有序的结构,并且表现出良好的发光性质。而ZnO纳米线的生长则主要采用气相沉积法。实验结果表明,在所选取的条件下, 微波功率对ZnO纳米线生长速度和密度的影响更为显著,同时分析了不同步骤中物理和化学影响的作用,最终给出了ZnO微纳米有序结构的生长机理。
结语
本文对SiO2和ZnO微纳米有序结构的生长及机理研究进行了介绍。通过物理沉积、化学沉积和溶胶凝胶等方法,制备出了具有微纳米有序结构的SiO2微球和ZnO纳米线。通过实验研究,进一步深入了解了这些微纳米结构的生长机理,为其在纳米器件中的应用提供了一定的理论依据。
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