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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有若干鳍部，所述鳍部间的所述衬底上具有绝缘层，且所述绝缘层顶部低于所述鳍部的顶部；在所述绝缘层上形成介质层，所述介质层覆盖所述鳍部；在所述介质层内形成开口，所述开口横跨所述鳍部，且所述开口暴露出所述绝缘层顶部、所述鳍部的顶部和侧壁表面；在暴露出的所述鳍部顶部及侧壁表面形成界面层；在所述界面层上、所述介质层上及所述绝缘层上形成非晶硅层；对所述界面层及所述非晶硅层进行退火处理；去除退火处理后的所述非晶硅层。本发明有助于将所述非晶硅层去除
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111696866 A
(43)申请公布日
2020.09.22
(21)申请号 20191
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