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本发明公开了一种热电器件的制备方法，包括以下步骤：提供第一衬底和第二衬底；在第一衬底上形成氧化层，以及在第二衬底上形成纳米线材料层；键合氧化层和纳米线材料层；并去除第二衬底；刻蚀纳米线材料层，形成若干纳米线；淀积高应力材料层，以提高若干纳米线内载流子的迁移率；在若干纳米线的两端形成接触电极；并在接触电极的外侧形成加热电极；退火处理。本发明提供的热电器件的制备方法，在形成若干纳米线后，在已形成的结构上淀积了一层高应力材料层，高应力材料层的存在可以在沟道区中引起应变，提高纳米线内载流子的迁移率，改善
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110993780 A
(43)申请公布日
2020.04.10
(21)申请号 20191
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