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本发明属于半导体器件技术领域，具体为基于二维半导体材料的光电二极管及其制备方法。本发明为垂直结构器件，由N型半导体材料为衬底，结合多层P型二维半导体材料作为感光单元形成具有快速光电响应的光电二极管；选用具有短波近红外光电响应的P型二维半导体材料，选用分别接触P型和N型半导体材料的不对称接触电极，再结合环形金属接触电极结构设计，大大提高其光电探测的性能。制备方法包括：N型半导体基底处理；多层P型二维半导体材料的制备；无掩膜光刻制备N型与p型不对称接触电极；隔绝各部分的绝缘层的制备。本发明设计和制备
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799093 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310907092.0
(22)申请日 2023.07.23
(71)申请人 复旦大学
地址 200433
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