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本实用新型涉及射频信号隔离技术领域，公开了一种提高射频信号测试EVB隔离度的EVB结构，包括基板，基板上设有射频芯片焊接工位，射频芯片焊接工位包括接地焊接位和位于接地焊接位两侧的引脚焊接位，引脚焊接位包括至少两个射频信号引脚焊接位，基板上设有接地端；在基板上，沿射频信号引脚焊接位的分布方向，每两个相邻的射频信号引脚焊接位之间设有至少一条屏蔽线，屏蔽线的两端分别与接地焊接位和接地端电连接；在实际使用时，本实用新型通过在基板上的射频信号引脚焊接位之间设置屏蔽线，以及额外设置接地端并让屏蔽线两端分别与
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 219740710 U
(45)授权公告日 2023.09.22
(21)申请号 202320473537.4
(22)申请日 2023.03.13
(73)专利权人 上海乾合微电子有限公司
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