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本发明公开了一种参考电路,包括多个参考列。存储器的存储阵列分成多个存储子阵列,各存储子阵列都设置有一个所述参考列。在对选定存储单元进行读取时,采用选定存储单元所在的存储子阵列对应的参考列中同一行的参考单元作为选定参考单元。在存储子阵列每进行一次擦除时,所对应的参考列都进行一次编程,使选定存储单元和选定参考单元的擦除时间相同,选定参考单元的参考电流随擦除时间变化会跟随选定存储单元的单元电流随擦除时间的变化,从而提高选定存储单元的编程窗口。本发明还公开了一种参考电路的参考电流的产生方法。本发明能实现
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798488 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310786963.8
(22)申请日 2023.06.29
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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