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本申请公开了一种互联工艺，涉及半导体制造领域。该互联工艺包括：提供一复合结构，复合结构包括层间介质层、介质阻挡层和第一介质层；在第一介质层上形成第一掩膜，第一掩膜中形成有多个第一窗口；在第一窗口对应区域进行刻蚀以形成多个通孔；填充通孔以形成互联金属线；对互联金属线和第一介质层的顶部进行化学机械研磨处理；依次形成绝缘层和第二介质层；在第二介质层上形成第二掩膜，第二掩膜中形成有多个第二窗口；在第二窗口对应区域进行刻蚀以形成多个沟槽；填充沟槽以形成上金属线；对上金属线和第二介质层的顶部进行化学机械研磨
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116798997 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310791923.2
(22)申请日 2023.06.30
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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