一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体.pdfVIP

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2023-09-23 发布于四川
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一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体.pdf

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本发明属于半导体加工技术领域，尤其涉及一种蚀刻方法、含氟气体使用方法及混合气体；于第一蚀刻材料调整步骤（910）加入特定组分的第一蚀刻材料（气体）以干预蚀刻过程中光阻PR（PhotoResist）侧壁聚合物（Polymer）的生成，进而在蚀刻同时降低聚合物的厚度和致密度；此外，还通过第二偏置功率调整步骤（920）进一步优化干预过程的指向性，在预设的偏置功率和气体流量下，约束等离子体的能量，给出了聚合物处置的优选过程；进而通过给出预设的混合气体组分，较为彻底地去除了侧壁聚合物的残留（Residu

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116798867 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310789233.3 (22)申请日 2023.06.30 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址