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本发明公开了一种新型无源浮地型忆阻器电路，整体电路由2个PMOS晶体管(P1、P2)、1个NMOS晶体管(N1)和1个电容(C1)构成。当P1、P2、P1的寄生二极管D1、P2的寄生二极管D2、N1的寄生二极管D3和D4导通后，产生的电流控制电容C1的充电和放电，电容C1上产生周期性变化的电压；N1的衬底和N1的栅极连接，N1上流过的电流由电容C1两端的电压控制。忆阻器电路的阻值可以等效为电路的输入电压和N1上流过的电流之间的比值。本发明中忆阻器电路仅由MOS晶体管和电容两种无源分立器件构成，工
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116800252 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310851125.4
(22)申请日 2023.07.12
(71)申请人 中国计量大学
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