一种片状三维硅碳电极及制备方法.pdfVIP

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2023-09-23 发布于四川
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一种片状三维硅碳电极及制备方法.pdf

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为克服现有技术中硅碳复合材料组分复杂导致的制备工艺繁琐、成本高不利于扩大生产的问题，本发明提供了一种片状三维硅碳电极，包括以下组分：片状硅、片状石墨烯和粘结剂；多片所述片状硅和多片所述片状石墨烯相互层叠穿插形成三维插层结构。同时，本发明还公开了上述片状三维硅碳电极的制备方法。本发明提供的片状三维硅碳电极，片状硅及片状石墨烯直接层叠穿插形成三维插层结构，使片状石墨稀与片状硅界面接触更加充分完全，增加了电极内部导电性，进而提高电池循环性能及倍率性能；另外，三维插层结构在电极辊压过程中不易被破坏，本发

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116799148 A (43)申请公布日 2023.09.22 (21)申请号 202310711754.7 H01M 10/052 (2010.01) (22)申请日 2023.06