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本发明属于同步辐射X射线原位研究技术领域，具体为一种同步辐射X射线半导体工艺研究用双退火装置。本发明双退火装置包括氮气枪、加热板、加热台外壳、X射线光电探测器、电源、热电偶、远程温度控制器接口，加热板温度控制器。本发明通过加热板温度控制器设置加热温度，对半导体样品进行热退火处理；通过氮气枪吹出氮气，对样品表面同样进行热退火处理；在双退火处理过程中的任一时间点，入射X射线都能照射到达样品表面和内部，产生的出射X射线信号被探测器接收，获得半导体器件的衍射和散射信息，从而实现实时观测半导体在退火过程中
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116794081 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310743831.7
(22)申请日 2023.06.23
(71)申请人 复旦大学
地址 200433
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