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本发明涉及一种隧道氧化物钝化接触的太阳能电池及其制备方法,属于晶硅太阳能电池制备技术领域。所述制备方法包括:以单晶硅片作为基底,进行双面制绒,然后将制绒后硅片的正面进行纳米硼浆印刷,印刷完成后烘干,随后进行热推进和第一次酸洗,获得重掺硅片;将重掺硅片的正面进行硼扩散,随后对硅片的背面进行第二次酸洗和抛光,以及双面隧穿氧化模及多晶硅膜的制备,得多膜层硅片;将多膜层硅片进行双面磷扩散,随后对硅片的正面进行第三次酸洗和第一次碱洗,再对硅片进行第四次酸洗,再对硅片进行正面氧化铝沉积,再进行正面及背面的氮
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799073 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310763222.8 (74)专利代理机构 北京知联天下知识产权代理
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