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- 2023-09-23 发布于四川
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本申请公开了一种基于III族氮化物量子点的半导体发光结构制备方法及器件。该半导体发光结构包括依次设置的极性氮化物单晶衬底、第一导电类型的第一III族氮化物层、多量子阱有源区和第二导电类型的第二III族氮化物层；多量子阱有源区包含一个以上周期结构，一个周期结构包括依次设置的量子垒层、量子点基底层、量子阱层和帽层；量子点基底层具有多孔结构，其中多个孔洞沿厚度方向贯穿量子点基底层；量子阱层包括多个III族氮化物量子点，每一III族氮化物量子点至少局部嵌入相应一所述孔洞内。本申请能有效降低极性GaN材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115050860 A
(43)申请公布日 2022.09.13
(21)申请号 202210677343.6
(22)申请日 2022.06.15
(71)申请人 江苏第三代半导体研究院有限公司
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