原创力文档- 1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
一种降低自加热效应SOAN LDMOS研究的中期报告
本文是对一种降低自加热效应SOAN（Silicon On Active Nitrogen） LDMOS（Lateral Diffusion Metal Oxide Semiconductor）器件的研究进展进行的中期报告。该研究旨在通过SOAN技术的应用，减轻LDMOS器件自加热现象引起的热失控问题，以实现高可靠性和高性能的功率器件。
在研究中，我们首先对SOAN LDMOS器件的结构进行了设计，并采用有限元仿真方法对其进行优化。仿真结果表明，在采用SOAN技术后，LDMOS器件的热阻值明显降低，自加热效应得到有效抑制。同时，在不影响器件导通特性的前提下，SOAN技术对器件的漏电流等性能指标也没有不利影响。
接着，我们采用国内外领先的半导体工艺实验室进行了SOAN LDMOS器件的制备。经过多次优化和调整工艺参数，我们成功地制备出了性能稳定、一致性良好的SOAN LDMOS器件。同时，我们还对器件的电学性能和热学性能进行了测试和分析，结果表明SOAN技术的应用能够显著减轻LDMOS器件的自加热现象，提高了器件的稳定性和可靠性。
最后，我们计划在未来继续进行深入的研究，进一步探究SOAN技术对功率器件自加热效应的影响机理，并进行更广泛的应用和测试。同时，我们也将与业界、学术界合作，共同推动SOAN技术在功率器件领域的应用和发展。
文档评论（0）