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本发明公开了一种垂直腔面发射激光器及其制作方法，激光器包括：GaAs衬底；第一DBR层，形成于GaAs衬底上；氧化层，形成于第一DBR层上；晶格渐变层，形成于氧化层上；包覆层，形成于晶格渐变层上，包覆层包括堆叠设置的第一包覆层和第二包覆层；增益层，形成于第一包覆层和第二包覆层之间；以及第二DBR层，形成于包覆层上；其中，晶格渐变层在其厚度方向具有不同的晶格常数，且晶格渐变层靠近GaAs衬底一侧的晶格常数与所述GaAs衬底的晶格常数相匹配，所述晶格渐变层靠近所述增益层一侧的晶格常数与所述增益层的晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116799622 A
(43)申请公布日 2023.09.22
(21)申请号 202310775629.2
(22)申请日 2023.06.28
(71)申请人 中科纳米张家港化合物半导体研究
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