半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-09-23 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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在实施例中，形成半导体器件的方法包括：在衬底中形成第一凹槽和第二凹槽；在第一凹槽中生长第一外延材料堆叠件，该第一外延材料堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，第一外延材料堆叠件的层是未掺杂的；在第二凹槽中生长第二外延材料堆叠件，该第二外延材料堆叠件包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，第二外延材料堆叠件的第一子集是未掺杂的，第二外延材料堆叠件的第二子集是掺杂的；图案化第一外延材料堆叠件和第二外延材料堆叠件，以分别形成第一纳米线和第二纳米线；以及围绕第一纳米线形成第一栅极结构，围

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111261521 A (43)申请公布日 2020.06.09 (21)申请号 20191