国家开放大学《模拟电子电路》形考任务2参考答案.doc

国家开放大学《模拟电子电路》形考任务2参考答案.doc

  1. 1、本文档共8页,其中可免费阅读4页,需付费50金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第 第 PAGE 8 页 共 NUMPAGES 8 页 国家开放大学《模拟电子电路》形考任务2参考答案 认真核对,谨慎下载,答案在最后一页,需付费查看或下载 一、单选题(每小题4分,共40分) 1.N沟道结型场效应管的偏置电压UGS应为()。 A.零 B.负 C.正 2.当UGS=0时,仍能工作在放大区的场效应管是()场效应管。 A.耗尽型MOS B.增强型MOS C.结型 3.下列有关多级放大电路的说法中,()是错的。 A.直接藕合放大电路能放大交流信号和直流信号 B.变压器耦合放大电路能放大变化缓慢的信号 C.阻容藕合放大电路只能放大交流信号 4.输入失调电压UIO是()补偿

文档评论(0)

考试资料分享 + 关注
实名认证
内容提供者

以成人教育、自考、成人学历提升、中小学教育、 和高中生高考 、资格等级证考试、公务员考试等为主,为学生提供学习文档资料。

1亿VIP精品文档

相关文档