TOPCon电池表面钝化设备.pdfVIP

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2023-09-25 发布于四川
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本实用新型公开了一种TOPCon电池表面钝化设备，至少包括多功能PECVD，多功能PECVD对硅片的背面镀氧化硅膜、非晶硅层以及对非晶硅层的原位掺杂，对应的反应温度是400～600℃，所述多功能PECVD自带升降温功能或者位于多功能PECVD工序之后的退火炉将镀膜后的硅片加热至600℃以上，使非晶硅层转化为多晶硅层，然后降温至400～600℃。本实用新型利用多功能PECVD自带升降温功能或者多功能PECVD+退火炉升降温的工艺代替现有的LPCVD+清洗刻蚀的工艺，实现对硅片背面的单独沉积，多功能

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210535682 U (45)授权公告日 2020.05.15 (21)申请号 20192