;;;;;;;;;;;;;;;放大电路可用如图1.9所示电路表示。;图1.10虚线框内的电路是一般的电压放大电路模型。;;;;;;;;;;;;;半导体硅和锗的原子外层轨道上都有4个电子(通常称为价电子),两个相邻的原子共用1对价电子,形成共价键,如图2.1所示。;;;;晶体二极管的结构、符号、类型:常见的二极管的结构类型如图2.6所示。;;;晶体二极管的温度特性:这些可以从图2.11所示二极管的伏安特性曲线上看出。;;;;;;;;;;而场效应管的控制特性与晶体管是不同的,它是利用输入电压所产生的电场效应来控制其输出电流的,属于电压控制器件,如图2.35所示。;;N沟道增强型场效应管的基本工作原理如图2.37(a)所示;随之增大,导电沟道的不均匀性加剧,如图2.37(b)所示。;;各类场效应管的符号表示如图2.41所示。;此处将各种场效应管的符号、特性曲线及计算公式列入表2.1(也包括JFET),以方便读者比较、学习。;场效应管;;;;;;共发射极组态基本放大电路的构成:共发射极组态基本放大电路如图3.2所示。;共发射极组态基本放大电路的工作原理:对应的电流电压波形示于图3.3中。;;;直流通路和交流通路分别如图3.4(a)和(b)所示。;图3.7分别画出了三种情况下直流负载线及Q点的变化情况。;根据v的变化规律,可根据输入特性画出对应的i的波形图,如图3.9所示。;;;应用H参数小
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