保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-09-27 发布于四川
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保护膜形成用膜、保护膜形成用复合片及半导体芯片的制造方法.pdf

本发明提供一种保护膜形成用膜(13),其为能量射线固化性的保护膜形成用膜,所述保护膜形成用膜(13)与硅晶圆之间的粘着力为3N/25mm以上,对所述保护膜形成用膜(13)照射紫外线而制成保护膜时,该保护膜的剪切强度为10.5N/3mm□以上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111279463 A (43)申请公布日 2020.06.12 (21)申请号 2

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