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窄半峰宽量子点的制备方法、量子点以及量子点光电器件.pdfVIP

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  • 2023-09-27 发布于四川
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窄半峰宽量子点的制备方法、量子点以及量子点光电器件.pdf

    本发明公开了一种窄半峰宽量子点的制备方法、量子点以及量子点光电器件。其中，窄半峰宽量子点的制备方法，包括以下步骤：在220℃～310℃条件下，将硒前体与镉前体混合，反应后得到含有小尺寸CdSe的第一体系，第一体系中还包括未反应完的镉前体和硒前体；在220℃～310℃条件下，将硫前体或锌前体加入第一体系中，反应后得到含有窄半峰宽量子点的第二体系。本发明提供的量子点制备方法有利于提高量子点的组分均一性，减少量子点合成过程中的自成核现象，从而可获得窄半峰宽量子点。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110408379 A (43)申请公布日 2019.11.05 (21)申请号 20191

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