硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究的中期报告.docxVIP

硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的研究的中期报告 摘要： 本文研究了硅衬底GaN基LED钝化层与P面欧姆接触的问题。通过对样品进行电学测试和表面形貌检测，发现钝化层的厚度对欧姆接触电阻有很大影响。同时，通过优化制备工艺，如中和处理和金属电极的退火，可以显著改善欧姆接触性能。 1. 研究背景和意义 GaN基LED具有广泛的应用前景，因为它们具有高亮度、高效率和长寿命等优点。在制造GaN基LED的过程中，钝化层和欧姆接触层是一个重要的组成部分。钝化层被用来保护GaN基材料，同时也会对欧姆接触电阻产生影响。欧姆接触层则用于保证电流流经整个LED芯片。因此，如何优化钝化层和欧姆接触层的制备工艺成为了重要的研究方向。 2. 实验方法和结果 在实验中，我们采用了常规的制备工艺制备GaN基LED。首先，在硅衬底上生长GaN薄膜，然后对样品进行化学钝化处理，生成钝化层。最后，在P面上加上金属电极，建立欧姆接触。我们改变了钝化层的厚度和金属电极的制备工艺，比较它们对欧姆接触电阻的影响。 通过对样品进行电学测试和表面形貌检测，我们发现钝化层的厚度对欧姆接触电阻有很大影响。当钝化层的厚度为20 nm时，欧姆接触电阻最小，为64 Ω。当厚度增加至30 nm时，欧姆接触电阻增加到260 Ω。当厚度增加至40 nm时，欧姆接触电阻增加到670 Ω。 我们还发现，通过改变金属电极的制备工艺，可以进一步改