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衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdfVIP

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  • 2023-09-27 发布于四川
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衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质.pdf

    本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提高在衬底上形成的膜的品质。衬底处理装置具有：处理衬底的处理室；气化器，其生成向衬底供给的第一气体；第一供给管，其连接于气化器、向处理室供给所述第一气体，且具有控制第一气体的供给定时的第一定时阀；非活性气体供给部，其向气化器导入管和第一供给管中的任一者或两者供给非活性气体，气化器导入管向气化器供给气体；气化器输出管，其从气化器向第一供给管供给第一气体；第一排出部，设置于第一供给管、将第一供给管内的气氛排气；第二排出部，设置于气化器输

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110137072 A (43)申请公布日 2019.08.16 (21)申请号 20181

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