GBT 29056-2025 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法标准立项发展报告.docx

硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法标准立项发展报告

EnglishTitle

StandardizationDevelopmentReport:DeterminationofImpurityContentinTrichlorosilaneforSiliconEpitaxy-InductivelyCoupledPlasmaMassSpectrometryMethod

摘要

本报告围绕国家标准GB/T29056-2025《硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定电感耦合等离子体质谱法》的制定与发布，系统阐述了该标准立项的背景、技术内容、行业影响及未来发展展望。随着半导体产业的快速发展，硅外延技术作为集成电路制造的关键环节，其原材料——高纯三氯氢硅的纯度直接决定了外延层质量和器件性能。传统的化学分析法、原子吸收光谱法等在检测灵敏度、多元素同时测定能力上已难以满足纳米级制程工艺对微量乃至痕量杂质控制的严苛要求。电感耦合等离子体质谱法（ICP-MS）凭借其卓越的检出限（可达ppt级）、宽线性动态范围及出色的多元素分析能力，成为当前超纯材料杂质分析的首选技术。本标准正是基于这一技术优势，对三氯氢硅中关键杂质元素的测定方法进行了系统规范，包括样品前处理、仪器工作条件、校准曲线建立、干扰消除及结果计算等全流程。报告表明，该标准的实施将有效填补