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LED灯生产工艺流程 §1 LED制造流程概述 LED的制作流程包括上游的单晶片衬底制作、外延晶片生长；中游的芯片、电极制 作、切割和测试分选；下游的产品封装。 图2.1 LED制造流程图 上游 晶片：单晶棒（碑化稼 磷化稼）单晶片衬底在衬底上生长外延层外延片 成品：单晶片外延片 中游 制程：金属蒸镀光罩腐蚀热处理（正负电极制作）切割测试分选 成品：芯片 下游 封装：固晶焊线 树脂封装切脚测试分选成品：LED灯珠、LED贴片和组件 §2 LED芯片生产工艺 LED照明能够应用到高亮度领域归功于LED芯片生产技术的不断提高，包括单颗 晶片的功率和亮度的提高。LED±游生产技术是LED行业的核心技术，目前在该技术 领先的国家主要日本、美国、韩国，还有我国台湾，而我国大陆在 LED上游生 产技术的发展比较靠后。下图为上游外延片的微结构示意图。 P 型 GaN 负极 P 型 AIGaN InGaN 量子阱(well ) N 型 InGaN N 型 AIGaN N 型 GaN P 型 GaN GaN 缓冲层(buffer ) 蓝宝石衬底(subatrate ) 图2.2蓝光外延片微结构 图 正极 生产出高亮度LED芯片，一直是世界各国全力投入硏制的目标，也是LED发的 方向。目前，利用大功率芯片生产出来的白光1WLED流明值已经达能到1501m之高。 LED上游技术的发展将使LED灯具的生产成本越来越低，更显LED照明的优势。以下 以蓝光LED为例介绍其外延片生产工艺如下：首先在衬低上制作氮化錄(GaN)基的 外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延片炉(MOCVD中)完成的。准备 好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐 步把外延片做好。常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，以及GaAs、AIN、 ZnO等材料。 MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及UI族的有机金属和V族的NH3在衬底表 面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种 类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是制作LED外延片最常用 的设备 然后是对LED PN结的两个电极进行加工，电极加工也是制作LED芯片的矢键工序， 包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨；然后对 LED毛片进行划片、 测试和分选，就可以得到所需的LED芯片了。 图2.3 LED生产流程 § 3大功率LED生产工艺 作为LED节能灯光源的大功率LED，它是LED节能灯的核心部分。大功率LED 的生产工艺如何直接影响LED的性能，进而影响LED灯具的性能，如光衰、光效等。 §3.1 LED封装工艺流程 以大功率LED封装产品为例，介绍它的封装制程如下： 图2.4大功率LED封装制程 晶片银胶 支架 金線荧光粉扩晶解冻配胶框晶搅拌搅拌固晶抽气搅拌入库QA固检烘烤推力检查焊线拉力检查点胶测试 晶片 银胶 支架 金線 荧光粉 扩晶 解冻 配胶 框晶 搅拌 搅拌 固晶 抽气 搅拌 入库 QA 固检 烘烤 推力检查 焊线 拉力检查 点胶 测试 長烤 包裝 分BIN 品检 测试 切脚 套Lens 灌胶 外观 § 3.2大功率LED生产工艺 流程站别 使用设备及工具 作业条件 备注  固晶 ?储存银胶冰箱 银胶搅拌机 扩晶机 4?固晶机(如AD809) ?烤箱 6离子风扇 1 ?储存银胶：OC —下保存。2 ?银 胶退冰：室温4小时3 ?扩?晶机温度： 50°C± 10°C 4?点银胶髙度为晶片厚度 的1/4 5?作业时静电环必须做测试记 录6?固晶时须使用离子风扇，离子 风扇 正面与晶片距离为20cm~ 140cm之间o 7?晶片固于支架杯子正中央，偏移呈 小于1/4晶片宽度，具体参考固晶 图。 8 ?烤银胶条件：150C+ 10t /2小 时。 焊线 1.339EG焊线机 1.2mil的瓷嘴 大功率打线制具 1 ? 339EG焊线机热板温度：150C± 1O°C，焊线方式参固晶焊线图。 2?瓷嘴42K更换一次。注：焊线时第 二焊点一定要按照固晶焊线图上第二焊点位 S (打斜线区域)焊线。 点胶 ?电子称 ?烤箱 3.抽真空机 4 ?点胶机 ?抽气时间：1个大气压/5mins。 ?荧光胶烘烤条件：120C± 10 °C /2Hrs。 荧光胶配比参考实验 数据。 套盖 1?镶子 1 ?在套Lens前材料要用150GC+ 10°C 烘烤15分钟，然而lens也要烘烤 80°C± 10t /20min ,然后套 Lens。 2.夹起Lens，判别双耳朵位萱后，放 置于支架上白壳配合孔内，并压到 位。 注意不要压塌金线， 否则送到返修站，并 记录事故率。 灌胶 ?电子称 ?烤箱 3.抽真空机 ?点胶机 ?锡子 棉花棒