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非均匀半导体的磁输运调控和优化的中期报告 非均匀半导体是指在化学组成、晶格结构或者几何形状上存在不规则变化的半导体材料。由于其具有局域的电子能态和较强的自旋轨道耦合效应，非均匀半导体具有独特的电子输运和磁学性质，这对于制造新型的低功耗、高效率的电子器件具有重要的意义。 本研究旨在通过理论和模拟手段探究非均匀半导体的磁输运调控与优化方法。研究采用全原子级别的密度泛函理论方法，通过构建非均匀半导体的晶体结构模型，计算了其对于自旋极化电流和电磁波等磁场的响应，并分析了其对磁电效应和哈耳效应等磁学效应的影响。 研究发现，在非均匀半导体中引入局域磁矩和自旋极化杂原子可以显著改变其磁输运性质，尤其是对于自旋极化电流的磁矩转换率和自旋预cession频率具有显著的影响。在优化设计磁场配置和材料结构的过程中，非均匀半导体的晶体结构和化学组成可以通过物理气相沉积、热处理和金属有机化学气相沉积等方法进行调控和优化。此外，研究还探究了纳米结构和表面修饰对非均匀半导体磁学性质的影响，提出了一系列可行的实验方案和理论模拟策略。 总体而言，本研究首次深入探究了非均匀半导体的磁学性质与磁输运调控方法，为实现新型电子器件的高性能、低功耗设计提供了新的思路和理论基础。 （注：本文摘自虚构的研究报告，仅作为参考。）