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- 2023-09-28 发布于四川
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本实用新型提供了一种p型晶体硅太阳能电池,涉及太阳能光伏技术领域。所述p型晶体硅太阳能电池,包括:p型晶体硅基底;局域p++型掺杂区,形成于所述P型晶体硅基底的正面;正面减反射层,沉积于所述p型晶体硅基底的正面;正面金属电极,所述正面金属电极穿透所述正面减反射层并与所述局域p++型掺杂区接触;钝化隧穿层;形成于所述P型晶体硅基底的背面;n型掺杂硅膜层,形成于所述钝化隧穿层的背面;背面钝化层,沉积于所述n型掺杂硅膜层的背面;以及穿透所述背面钝化层并与所述n型掺杂硅膜层接触的背面金属电极。本实用新型
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210575969 U
(45)授权公告日
2020.05.19
(21)申请号 20192
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