- 1、本文档共38页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
1
CMOS 模拟集成电路课程设计
(参考请注明出处)
设计题目: 有源电流镜差分放大器的设计 授课教师: 王 天 宝 所属班级: 微 电 子 0 8 1 班
学生姓名: 王明(2008102015)
wm1630@163.com
完成日期:: 2011/5/8
目录
1、设计要求 1
2、 设计过程 2
2.1分析: 2
2.2 电路结构 2
2.3 电路主要参数设计与估算 2
2.3.1 尾电流源I的计算 3
2.3.2mos管的过驱电压Vop的设定 3
2.3.3 MOS管尺寸设定 3
2.3.4Ay的估算 4
2.3.5SR的估算: 4
2.3.6CMRR的估算 5
2.3.7PSRR的估算: 5
2.3.8Vn,c,min-mas和Vou,ca,min-max的估算 5
2.3.9Vc和Vou.CM的确定 5
2.3.10功耗P。的估算 原创力文档
2.4mos 管W和L表 下戴,高.清.水印
2.5 讨论 6
3、仿真过程 6
3.1 静态工作点仿真 6
3.2 增益Ay的仿真 7
3.3 C M R R 仿 真 8
3.4 P S R R 仿 真 10
3.5 SR的仿真 11
3.6输入范围仿真 12
3.7输出范围仿真 14
4、 结论 15
5、 差分放大器版图设计 15
6、 心得体会 17
C M O S 模 拟 集 成 电 路 课 程 设 计
1、设计要求
1.1、课程设计题目: 《cmos 有源电流镜负载差分放大器设计》
1.2、题目要求:
设计一个有源电流镜作为负载,输入管为NMOS 的差动输入到单端输出的放大器,要 求尽可能满足下列要求。不要求设计偏置电流电路,可以用3uA的恒流源替代。
工艺
TSMC0.18 CMOS Process
Ay
140
VDD
3.3V
CMRR
30dB
VSS
0V
PSRR
30dB
Po
越小越好
Vopc
1.6V(Vpx=1.6V)
CL
5pF
Slew Rate
1V/us
1.3设计要求:
(1) 给出满足题目要求的电路图
(2) 根据设计目标,计算各 MOS 管的尺寸
(3) 对电路进行仿真,仿真内容包括:直流输入范围、直流输出范围、交流小信号增益、 共模抑制比、电源抑制比、功耗。
(4) 对结果进行分析
(5) 比较各项指标,完成下表
工艺
设计指标
计算值
仿真值
是否达到指标
Vopc
1.6V
(Vx=01.6V)
Po
33uW
Ay
140
CMRR
30dB
PSRR
30dB
直流输入范围
直流输出范围
第1页 共20页
C M O S 模 拟 集 成 电 路 课 程 设 计
2、设计过程
2. 1分析:
更根据给定的电源电压和放大倍数,初步确定为单电流镜负载的差分结构,仿真软件 采用cadence的 IC610 软件包。
2.2 电路结构
图表1电流镜负载差分放大器
2.3 电路主要参数设计与估算
电路的参数设计主要包括Iss、Vop、Po, 基于以上,电路的估算参数包括Vopc、Ay、
Vm.cw,min-max、V,CM,mm-mx 、CMRR、PSRR、SR、
第2页 共20页
CMOS 模拟集成电路课程设计
2.3.1 尾电流源Is 的计算
根据题目要求,偏置电流源可以用3uA 的理想电流模型,其次,电路的slewing rate
要求是大于1V/us, 电路给定的负载电容是Cd=5pF, 并且电路功耗要求B 。≤33uW,
尾电流源的由下面式子确定:
初步确定Iss 为:
Is=6uA。
2.3.2 mos 管的过驱电压Voo 的设定
Mo: 一般差分输入对的过去电压在300mV以内,本设计中确定的输出差分原创势文档
下 载 高
下 载 高 清 无 水 印
Vopo=100mV;
M??: 根据Vonc的要求,假设pmos管 |VηF0.75V, 确定:
Vopz?=VDD- Vopc-IVI=0.95V
M? s: 为提供大电流管,设置:
Vop?s=500mV
2.3.3 MOS 管尺寸设定
根据以上确定的Is和V值来确定
Tsmc018工艺库的pmos3v、nmos3v 部分参数如下
第 3
文档评论(0)