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本申请涉及一种SGT电路，包括设置在相同衬底和外延层上的SGT功率晶体管和温度传感器，以及位于二者之间的隔离环，其形成于外延层中并开口于外延层的上表面，闭合包围温度传感器；其中温度传感器包括温度传感二极管，包括：衬底；外延层，形成在衬底之上，其掺杂类型与衬底相同，衬底的掺杂浓度高于外延层的掺杂浓度；第一区域，形成在隔离环包围的外延层中，其中第一区域的掺杂类型与外延层互补，第一区域在外延层延伸的深度小于隔离环在外延层中延伸的深度；其中，第一区域与隔离环包围的外延层共同构成温度传感二极管的PN结。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825781 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202310808933.2 H01L 29/861 (2006.01)
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