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本发明提供了一种IGBT用硅外延生长过程报警补救的方法，当外延生长过程出现报警时，进行如下步骤：启动氢气保护，以流量为70～90L/min的氢气对外延炉的反应腔体进行吹扫；用刻蚀速率为5～9μm/min的氯化氢气体对报警外延片进行抛光10～40s后以流量为70～90L/min的氢气进行吹扫；以第一生长速率在报警的外延片表面生长一层外延层，再以第二生长速率继续生长补足厚度要求，所述第一生长速率为0.5～1μm/min，所述第二生长速率为1.5‑2μm/min。本发明所述的方法可以有效降低报废率
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116825613 A
(43)申请公布日 2023.09.29
(21)申请号 202311068416.2 C30B 25/16 (2006.01)
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