芯片级封装的具有金属填充的深沉降区触点的功率MOSFET.pdfVIP

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2023-09-30 发布于四川
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一种形成包含功率半导体装置的IC(180)的方法包含：提供衬底(100)，所述衬底在其上具有外延层(150)，所述外延层具有形成于其中的被金属前电介质PMD层(118)覆盖的至少一个晶体管(160)。从接触开口蚀刻穿过所述PMD到所述外延层中以形成延伸到所述装置的第一节点的沉降区沟槽。沉积金属填充材料(128b)以覆盖所述沉降区沟槽的侧壁和底部，但不完全填充所述沉降区沟槽。在所述金属填充材料上方沉积电介质填料层(128c)以填充所述沉降区沟槽。移除所述电介质填料层的覆盖层区域，在所述覆盖层区域中

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110520999 A (43)申请公布日 2019.11.29 (21)申请号 20168